在一篇题为‘在薄硅与薄层BOX上建构采用高K+金属闸极的微缩FBC内存适用于15nm及更先进制程’(A Scaled Floating-Body Cell Memory with High-k + Metal Gate on Thin Silicon and Thin BOX for 15-nm Node and Beyond)的论文中,英特尔公司详细介绍了据称是目前世界上采用FBC技术的最小平面组件,其功能组件尺寸可微缩至30nm的闸极长度。Mayberry并表示,英特尔公司所发表的组件要比其它现有公开文献中所介绍的类似组件更微缩两个世代。